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芯片On-wafer測(cè)試:用Ceyear3672系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀實(shí)現(xiàn)

目前微波半導(dǎo)體芯片在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)和應(yīng)用等環(huán)節(jié)需要使用在片(On-wafer)測(cè)試設(shè)備,但目前各研究機(jī)構(gòu)、單位或公司主要使用國(guó)外微波測(cè)試產(chǎn)品。而中電科思儀科技股份有限公司生產(chǎn)的的3672系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可直接應(yīng)用于On-wafer測(cè)試。配合手動(dòng)探針臺(tái),或半自動(dòng)探針臺(tái)的手動(dòng)模式,即可滿足部分芯片的On-wafer測(cè)試需求,可用于芯片設(shè)計(jì)測(cè)試、芯片高低溫老練等場(chǎng)景。


本文設(shè)計(jì)了On-wafer測(cè)試試驗(yàn),搭建基于3672系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試系統(tǒng),通過對(duì)8寸晶圓的某被測(cè)件測(cè)試,介紹片上校準(zhǔn)、片上測(cè)試的基本步驟。


1.系統(tǒng)組成

1.1 測(cè)試系統(tǒng)

測(cè)試系統(tǒng)組成如圖1所示,此系統(tǒng)的主要組成為:

(1)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。型號(hào)3672D,頻段10MHz~50GHz;

(2)探針臺(tái)。型號(hào):CASCADE 12652B-6;

(3)GSG探針。型號(hào):CASCADE I67-A-GSG-150,間距150μm,2個(gè);

(4)校準(zhǔn)件。型號(hào):CASCADE 101-190C,如圖2所示。

1.2被測(cè)晶圓

被測(cè)晶圓為8寸晶圓,無(wú)源元器件,關(guān)注的頻率范圍是100MHz-20GHz,晶圓如圖3所示。


圖1  在片測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成


圖2  校準(zhǔn)件


圖3  被測(cè)晶圓


2 測(cè)試流程

2.1 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置

(1)開啟矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀預(yù)熱充分;

(2)根據(jù)測(cè)試要求及預(yù)測(cè)試分析,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的設(shè)定值及設(shè)置方法如表1所示。


表1 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試設(shè)置及方法


2.2 系統(tǒng)校準(zhǔn)

(1)定位及顯示校準(zhǔn)片

開啟探針臺(tái),按如圖4所示的步驟依次操作定位校準(zhǔn)片位置。


圖4  定位、顯示校準(zhǔn)件步驟


(2)顯示及校準(zhǔn)探針

探針支架結(jié)構(gòu)如圖5所示,包含四個(gè)可調(diào)旋鈕控制探針的X、Y、Z和ρ方向,ρ是探針繞Y軸的翻滾角,可調(diào)整探針姿態(tài)。移動(dòng)探針并在顯微鏡中觀察直至出現(xiàn)探針的模糊影像;任選一校準(zhǔn)件扎下探針,觀察扎痕深淺情況,若扎痕深淺不一致(如圖6所示)需要調(diào)整ρ直至深淺一致(如圖7所示)。


圖5  探針支架結(jié)構(gòu)


圖6  扎痕深淺不一致需調(diào)整


圖7  扎痕深淺一致


(3)校準(zhǔn)設(shè)置

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中選擇【校準(zhǔn)】→[校準(zhǔn)…]→[非向?qū)?zhǔn)],根據(jù)校準(zhǔn)件和被測(cè)件,本次校準(zhǔn)采用全雙端口SOLT校準(zhǔn)。進(jìn)入校準(zhǔn)界面如圖8所示,點(diǎn)擊[選擇校準(zhǔn)件],在彈出窗口中選擇已編輯好的校準(zhǔn)件“I67_GSG_150_2”;


圖8  矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)界面


(4)校準(zhǔn)

全雙端口SOLT校準(zhǔn)包括開路、短路、負(fù)載和直通4種校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn),4種標(biāo)準(zhǔn)分別對(duì)應(yīng)4種片上的校準(zhǔn)件(如圖9所示)。以開路校準(zhǔn)為例,在顯微鏡中定位開路校準(zhǔn)件,扎下探針,點(diǎn)擊如圖8所示校準(zhǔn)界面的[開路],彈窗中點(diǎn)擊 [PROBE(OPEN)],完成后發(fā)出提示音表示此標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)完成,[開路]變?yōu)榫G色。端口2的[開路]校準(zhǔn)方法同上。 [短路]、[負(fù)載]和[直通]均按此方法依次校準(zhǔn)。


圖9  片上的4種校準(zhǔn)件


(5)保存校準(zhǔn)數(shù)據(jù)

校準(zhǔn)完成后,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可保存.cst校準(zhǔn)文件方便回調(diào)。

(6)校準(zhǔn)后系統(tǒng)驗(yàn)證

為驗(yàn)證校準(zhǔn)結(jié)果的準(zhǔn)確性,校準(zhǔn)后測(cè)量校準(zhǔn)片上的其它校準(zhǔn)件,結(jié)果如表2所示。驗(yàn)證系統(tǒng)結(jié)果表明:系統(tǒng)已被校正完成,可以進(jìn)行測(cè)試。

表2  校準(zhǔn)后系統(tǒng)驗(yàn)證


注意:

? 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀開機(jī)后要預(yù)熱充分使系統(tǒng)穩(wěn)定,否則校準(zhǔn)或測(cè)試結(jié)果可能產(chǎn)生漂移;

? 安裝探針與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的連接電纜時(shí),連接要可靠且電纜線盡量固定,保證測(cè)量過程中不發(fā)生移動(dòng);

? 探針為易損件且價(jià)格昂貴,在測(cè)試過程中應(yīng)避免磕碰;

? 在扎下探針時(shí),力度要控制在合理范圍內(nèi)。力度太輕容易造成測(cè)量不穩(wěn)定,太重則會(huì)縮短探針壽命,甚至損壞探針;

? 任何調(diào)整探針位置及姿態(tài)的操作都要在探針與測(cè)試件分離的情況下進(jìn)行。

2.3 測(cè)試

校準(zhǔn)完成,開始對(duì)被測(cè)件進(jìn)行測(cè)試。

(1)定位被測(cè)件

載物臺(tái)的控制旋鈕如圖10所示。拉起安全壓桿,將校準(zhǔn)片從載物臺(tái)上移除,放置被測(cè)件,放下安全壓桿。圖中X、Y和θ三個(gè)旋鈕可分別調(diào)節(jié)載物臺(tái)的X、Y和θ方向,其中θ是載物臺(tái)繞Z軸的旋轉(zhuǎn)角。平移載物臺(tái),使顯微鏡中可觀測(cè)到被測(cè)件,被測(cè)件如圖11所示。


圖10  探針臺(tái)移動(dòng)旋鈕所在位置


圖11  被測(cè)件


(2)測(cè)試結(jié)果

將左右探針分別扎入被測(cè)件中間和右側(cè)的PAD上,扎針力度控制在合理范圍內(nèi)。從矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中讀取測(cè)試結(jié)果如圖12所示,測(cè)試結(jié)果包含S11、S21、S12和S22。通過[光標(biāo)]鍵設(shè)置光標(biāo)至關(guān)心的頻率點(diǎn),可得到此頻率點(diǎn)的S參數(shù)。


圖12  被測(cè)件S參數(shù)測(cè)試結(jié)果


(3)保存結(jié)果

選擇[文件]→[另存為],屏幕圖像可保存為.png或.jpg文件,數(shù)據(jù)可保存為.s2p或.prn類型文件。保存數(shù)據(jù)時(shí),有“對(duì)數(shù)相位”、“線性相位”和“實(shí)部虛部”三種格式,本文選擇[定義數(shù)據(jù)存儲(chǔ)]→[對(duì)數(shù)/相位],保存數(shù)據(jù)文件。

(4)測(cè)量結(jié)束

保存完成后,將探針與被測(cè)件分離,抬起安全壓桿,拉出載物臺(tái),取出被測(cè)件。小心取下探針,關(guān)閉探針臺(tái)和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,整個(gè)測(cè)量過程結(jié)束。


(中電科思儀科技股份有限公司 李宇陽(yáng)、楊保國(guó)供稿)



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