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晶圓制備高端局 控溫很重要

半導體芯片是電子產(chǎn)品的核心,新能源汽車、5G等產(chǎn)業(yè)的技術突破不斷帶來新應用場景,半導體需求不斷增長,上游半導體材料需求也持續(xù)增加,國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)在最新《半導體材料市場報告》[1]中指出:


2022年全球半導體材料市場年增長率為8.9%,營收達727億美元

?     超越2021年創(chuàng)下668億美元的市場最高紀錄

?     2022年晶圓制造材料和封裝材料營收分別達到447億美元和280億美元,成長10.5%和6.3%

?     硅晶圓、電子氣體和光罩等領域在晶圓制造材料市場中成長表現(xiàn)最為穩(wěn)健

[1] https://www.c114.com.cn/market/39/a1234847.html


行業(yè)分析指出,先進制程的制造需求和新興應用場景對更高性能的要求,半導體材料產(chǎn)業(yè)將進一步投入相關技術研發(fā),在改善現(xiàn)有材料工藝以提升純度等參數(shù),幾個關鍵工藝,需要特別關注。



單晶硅制備-精準控溫


制備單晶硅的方法有直拉法( CZ 法)、區(qū)熔法( FZ 法)等,高純度、性能優(yōu)良的單晶硅棒的制備,需要準確控制工藝溫度參數(shù),從而準確掌握晶體生長過程中的加熱情況。


實際應用中,針對單晶生長爐,需要通過小尺寸的窗口對其真空腔室內(nèi)部的加熱器和坩堝進行精準測溫。



解決方案

MI31001M 高溫計


?     紅外測溫1μm 的波長,傳感器能夠透過石英窗測量加熱器以及坩堝的溫度,讀數(shù)不受熱源輻射影響;

?     使用定制光學器件,可以良好的適應觀察孔尺寸小,內(nèi)部保溫層開孔尺寸有限制的客觀要求。


晶片拋光-精準測溫


加工芯片前,需對芯片進行拋光,在此過程中,晶片必須保持在較低的溫度,避免過熱和變形,晶片的尺寸越大,晶片的平整度要求越高,而且大尺寸的晶片原料價值高,更要避免高溫導致拋光過程中晶片報廢的情況。



解決方案

Thermalert®4.0 LT 測溫儀


?     8-14μm 的波長,通過準確測量晶片表面液體的溫度,從而測量晶片溫度;

?     連續(xù)監(jiān)測拋光液的溫度,從而保證晶片處于合適溫度。


化學氣相沉積法(CVD)-精準測溫


薄膜沉積的化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)是把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸汽,以合理的氣流引入工藝腔室,在襯底表面發(fā)生化學反應并在襯底表面上沉積薄膜。該工藝制備的薄膜具有很好的化學配比,針孔數(shù)量少,具有應力控制能力,但對工藝參數(shù),如溫度、壓強、流場等的變化較為敏感,因此需要精準測量該工藝中基材的溫度。



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