如下表3所示為集成IC內(nèi)部MOSFET與外部續(xù)流二極管在常溫25℃下的實(shí)測電壓應(yīng)力及電流應(yīng)力，其電壓、電流應(yīng)力留有一定裕量保證模塊可靠性。

表3 關(guān)鍵器件電壓、電流應(yīng)力

在應(yīng)用中怎樣提高非隔離電源的可靠性

設(shè)計(jì)完一款非隔離電源之后，我們要如何保證在現(xiàn)場應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)越的性能呢？
首先要明確的是非隔離模塊雖然沒有隔離前后級的特性，但只要在一些應(yīng)用場合中提高它的可靠性是完全可以不需要具有隔離功能的電源模塊，因此提高非隔離電源的應(yīng)用可靠性是極其重要的。

從使用者出發(fā)，做到預(yù)留充足的余量。大多數(shù)電源設(shè)計(jì)工程師在權(quán)衡性能指標(biāo)、器件成本下，往往做不到把所有電子器件的安全工作裕量留得很足，在某些異常情況下想要更好的提高模塊的可靠性，應(yīng)用的工程師除了要按照數(shù)據(jù)手冊的要求使用外，在選用模塊時也要留有30%以上的降額，這里的降額不僅指輸出負(fù)載的降額，也指輸入電壓的降額。例如：如下表4所示，型號為E7815OS-500的非隔離電源模塊輸入電壓在24V以下時效率較高，而負(fù)載在50%~70%內(nèi)效率較高且穩(wěn)定，則可以選擇在輸入電壓為19V~24V、負(fù)載為50%~70%內(nèi)使用可靠性相對安全性較高。

從開發(fā)人員出發(fā)，設(shè)計(jì)進(jìn)行完善的可靠性測試。當(dāng)然，除了對輸入電壓、負(fù)載電流進(jìn)行降額使用以外，還可以增加外圍電路通過電磁兼容（EMC）相關(guān)的實(shí)驗(yàn)來提高它的可靠性。

表4 效率與電壓、負(fù)載關(guān)系曲線圖