在低頻段，GaAs HBT的柵極長(zhǎng)度通常在0.25至0.5微米之間，“要做到毫米波頻率，多數(shù)器件廠(chǎng)商會(huì)選用柵極長(zhǎng)度在0.1至0.15微米的工藝，”Higham說(shuō)，“Qorvo推出了90nm的GaAs工藝，不過(guò)90nm已經(jīng)是現(xiàn)在量產(chǎn)GaAs工藝的極限尺寸了?！盵pagebreak]

基礎(chǔ)設(shè)施

實(shí)際應(yīng)用中，帶相控陣天線(xiàn)的手機(jī)將發(fā)射信號(hào)給基站和微蜂窩基站，基站和微蜂窩基站將與相控陣天線(xiàn)對(duì)接以實(shí)現(xiàn)信號(hào)連接。

要實(shí)現(xiàn)上述功能，還有一些問(wèn)題要解決。例如，天氣狀況會(huì)影響信號(hào)路徑?！霸诤撩撞l段，由于氧氣和吸收造成的路徑損失會(huì)更大，”Anokiwave CEO Robert Donahue說(shuō)道，“解決方法是采用波束成型技術(shù)?！?/span>

Anokiwave剛剛發(fā)布一款被稱(chēng)為“5G四核”的IC，工作頻率為28GHz，具備相控陣功能。這款IC使用硅鍺工藝，可用于微蜂窩基站等系統(tǒng)。

理論上，這種芯片可與基站通信。與4G不同，4.5G和5G設(shè)備必須支持大規(guī)模MIMO技術(shù)?；臼褂玫纳漕l功率管一般采用LDMOS工藝，但現(xiàn)在LDMOS工藝正在被氮化鎵（GaN）工藝取代。

“和LTE-A一樣，5G基礎(chǔ)設(shè)施也會(huì)移到更高的頻率以拓寬數(shù)據(jù)帶寬，”穩(wěn)懋半導(dǎo)體高級(jí)副總裁David Danzilio說(shuō)道，穩(wěn)懋半導(dǎo)體提供GaAs和GaN工藝代工服務(wù)?！半S著LTE邁向更高頻率，GaN技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始擴(kuò)大市場(chǎng)份額?！?/span>