三極管主要參數(shù)：電流放大系數(shù)β，極間反向電流，（集電極最大允許電流，集電極最大允許耗散功率，反向擊穿電壓=3個(gè)重要極限參數(shù)決定BJT工作在安全區(qū)域）。

14

因J-FET的Rgs很高，在使用時(shí)首先應(yīng)注意無靜電操作，否則很容易發(fā)生柵極擊穿；另外就是在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)仔細(xì)考慮各極限參數(shù)，不能超出范圍。將J-FET當(dāng)做可變電阻使用時(shí)應(yīng)保證器件有正確的偏置，不能使之進(jìn)入恒流區(qū)。

15

二射極偏置電路：用于消除溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響（雙電源更好）。

16

三種BJT放大電路比較：共射級(jí)放大電路，電流、電壓均可以放大。共集電極放大電路：只放大電流，跟隨電壓，輸入R大，輸出R小，用作輸入級(jí)，輸出級(jí)。共基極放大電路：只放大電壓，跟隨電流，高頻特性好。

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去耦電容：輸出信號(hào)電容接地，濾掉信號(hào)的高頻雜波。旁路電容：輸入信號(hào)電容接地，濾掉信號(hào)的高頻雜波。交流信號(hào)針對(duì)這兩種電容處理為短路。

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MOS-FET在使用中除了正確選擇參數(shù)以及正確的計(jì)算外，最值得強(qiáng)調(diào)的仍然是防靜電操作問題，在電路調(diào)試、焊接、安裝過程中，一定要嚴(yán)格按照防靜電程序操作。

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主流是從發(fā)射極到集電極的IC，偏流就是從發(fā)射極到基極的Ib。相對(duì)與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

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場效應(yīng)管三個(gè)鋁電極：柵極g，源極s，漏極d。分別對(duì)應(yīng)三極管的基極b，發(fā)射極e，集電極c。<源極需要發(fā)射東西嘛，所以對(duì)應(yīng)發(fā)射極e，柵極的英文名稱是gate,門一樣的存在，和基極的作用差不多>其中P型襯底一般與柵極g相連。

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增強(qiáng)型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負(fù)的Vgs，那么可能出現(xiàn)夾斷，此時(shí)的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負(fù)的柵源電壓下工作）

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N溝道的MOS管需要正的Vds（相當(dāng)于三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的Vbe），而P溝道的MOS管需要負(fù)的Vds和負(fù)的Vt。

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VMOSFET有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)電流；開關(guān)速度塊、高頻特性好；負(fù)電流溫度系數(shù)、無熱惡性循環(huán)，熱穩(wěn)定型優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。

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運(yùn)算放大器應(yīng)用時(shí)，一般應(yīng)用負(fù)反饋電流。

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差分式放大電路：差模信號(hào)：兩輸入信號(hào)之差。共模信號(hào)：兩輸入信號(hào)之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號(hào)可得到一個(gè)重要的數(shù)學(xué)模型：任意一個(gè)輸入信號(hào)=共模信號(hào)±差模信號(hào)/2。

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差分式放大電路只放大差模信號(hào)，抑制共模信號(hào)。利用這個(gè)特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對(duì)電路性能的影響。具體的性能指標(biāo)：共模抑制比Kcmr。

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二極管在從正偏轉(zhuǎn)換到反偏的時(shí)候，會(huì)出現(xiàn)較大的反向恢復(fù)電流從陰極流向陽極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。

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